BSZ068N06NSATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ068N06NSATMA1 tarafından Infineon ve IQDH35N03LM5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ068N06NSATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mΩ @ VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 46 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C -55 C to +175 C
Paket PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 1 (unlimited)
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Manufacturer — Infineon Technologies
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
RoHS Durumu — Compliant
Marking — IQDH35N03LM5S

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin