H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63CFR-PBL Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5TC4G63MFR-PBA tarafından SK hynix ve H5TC4G63CFR-PBL tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63CFR-PBL
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Organizasyon 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (+0.100V/-0.067V) —
Veri Hızı 1866 Mbps (PC3L-14900) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Paket 96-ball FBGA 96-ball FBGA (TFBGA)
Number of Banks 8 8
Burst Length BL8, BL4 (with burst chop) 8
CAS Latency (CL) Programmable —
CAS Write Latency (CWL) Programmable —
Additive Latency Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Temperature-Compensated Self-Refresh Yes —
Process Technology 30nm-class —
RoHS Compliant Yes (Lead-Free & Halogen-Free) —
Bellek Boyutu — 4 Gb (256M x 16)
Besleme Gerilimi — 1.35 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
CAS Gecikme — 11, 12, 13
Refresh Period — 7.8 us at 85C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin