H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63CFR-PBL So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63MFR-PBA bằng SK hynix và H5TC4G63CFR-PBL bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63CFR-PBL
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Tổ chức 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (+0.100V/-0.067V) —
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps (PC3L-14900) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Hộp 96-ball FBGA 96-ball FBGA (TFBGA)
Number of Banks 8 8
Burst Length BL8, BL4 (with burst chop) 8
CAS Latency (CL) Programmable —
CAS Write Latency (CWL) Programmable —
Additive Latency Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Temperature-Compensated Self-Refresh Yes —
Process Technology 30nm-class —
RoHS Compliant Yes (Lead-Free & Halogen-Free) —
Kích thước bộ nhớ — 4 Gb (256M x 16)
Điện áp cung cấp — 1.35 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Latency CAS — 11, 12, 13
Refresh Period — 7.8 us at 85C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá