IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUC80N04S6N036ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N04S6L020ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC80N04S6N036ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 - 40V 80A OptiMOS-6 N-MOSFET | Infineon

IAUC80N04S6N036ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +175 C
Paket PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS-6 40 V
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 80 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 50 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 3.6 mOhm
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
AEC-Q101 Qualification — Qualified (Automotive)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Terminal Finish — Tin (Sn) (e3 per JESD-609)
Peak Reflow Temperature — 260 C (per JEDEC J-STD-020)
Compliance - RoHS — Compliant
Compliance - REACH — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin