IAUC120N06S5N032ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5N032ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N06S5N032ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N06S5N032ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 94 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 47 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Technology OptiMOS-5 N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 5)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (Tj) -55 C to +175 C
Paket PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Montaj Türü Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Gate Resistance (Rg) [DATA_NEEDED: Rg] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin