IAUC60N04S6L039ATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC60N04S6L039ATMA1 tarafından Infineon ve BSC032N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC60N04S6L039ATMA1 BSC032N04LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 6 (trench) OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 60 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 240 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.9 milliohm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P_D) 42 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55°C to +175°C
Paket PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — OptiMOS 5 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 98 A
RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin