IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC60N04S6N031HATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L011ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) —
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (Tj) —
Paket PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin