IAUC90N10S5N062ATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC90N10S5N062ATMA1 tarafından Infineon ve BSZ018NE2LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC90N10S5N062ATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A 40 A
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) OptiMOS (Infineon trench MOSFET)
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes Yes
Part Number — BSZ018NE2LSIATMA1
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 69 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin