IAUC90N10S5N062ATMA1 vs IAUT300N10S5N015ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC90N10S5N062ATMA1 tarafından Infineon ve IAUT300N10S5N015ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-HSOF-8-1 (HSOF-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
RDS(on) (typ, VGS=10V) — 1.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C
MSL Seviyesi — MSL1 (260°C peak reflow)
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Enhancement-mode

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin