IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N006ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N009ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7N006ATMA1 | IAUCN04S7N009ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 175 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket | PG-TDSON-8-43 | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| Junction Temperature Max | 175 C | — |
| Power Dissipation Max (Pd) | [DATA_NEEDED: Pd max] | — |
| Gate Charge Total (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (compliant) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | — | 0.96 mΩ |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | — | 10 V |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Supplier Device Package | — | PG-TDSON-8-34 |