IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N006ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZN04S7L030ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7N006ATMA1 | IAUZN04S7L030ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 175 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | — |
| Paket | PG-TDSON-8-43 | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| Junction Temperature Max | 175 C | — |
| Power Dissipation Max (Pd) | [DATA_NEEDED: Pd max] | — |
| Gate Charge Total (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (compliant) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tj) | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 3.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 58 W |
| Operating Junction Temperature (Tj) | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| RoHS Compliance | — | Compliant |