IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7N006ATMA1 توسط Infineon و IAUZN04S7L030ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUCN04S7N006ATMA1 | IAUZN04S7L030ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 175 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-43 | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | — |
| Junction Temperature Max | 175 C | — |
| Power Dissipation Max (Pd) | [DATA_NEEDED: Pd max] | — |
| Gate Charge Total (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (compliant) | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tj) | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 3.05 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 58 W |
| Operating Junction Temperature (Tj) | — | -55C to +175C |
| Technology Family | — | OptiMOS-7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| RoHS Compliance | — | Compliant |