IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N015GATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L028ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7N015GATMA1 | IAUCN04S7L028ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 165 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (P_D) | 96 W (Tc) | — |
| R_DS(on) max | 1.53 mΩ at V_GS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Paket | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Montaj Türü | Surface Mount (IMS-compatible source-down) | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 100 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 2.80 mOhm at VGS=10 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 1.8 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | 24 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.578 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 788 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 36 pF |
| Güç Tüketimi (Ptot) | — | 58 W |