IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N056DATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L050HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7N056DATMA1 —
Series OptiMOS 5 40V OptiMOS™ 7
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 60 A (Tj) —
RDS(on) (typ) 5.59 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 41 W (Tc) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C —
Paket PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (family-level, automotive grade)
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Type Tape & Reel —
Configuration — Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin