IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L018ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN08S7L018ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Paket | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |