IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN08S7L018ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7L033ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN08S7L018ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |