IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUCN08S7L013ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L013ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUCN08S7L013ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | AEC-Q101 (automotive) |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | — | 1.26 mΩ |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] |
| Continuous Drain Current (TJ) | — | 293 A |
| Power Dissipation (TC) | — | 219 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix ATMA1) |