IAUCN10S5L110TATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S5L110TATMA1 tarafından Infineon ve IPB024N10N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S5L110TATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Paket PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (260°C peak reflow) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Klorürsüz — Yes (per Infineon product family policy)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin