IAUCN10S7L180ATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S7L180ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S5L110TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 OptiMOS 5
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Number of Channels 1 —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 39 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 16.1 mΩ @ VGS=10 V —
Typical RDS(on) 18 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.6 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (±16 V per JLCPCB listing) —
Total Gate Charge (Qg) 11 nC —
Input Capacitance (Ciss) 272 pF —
Output Capacitance (Coss) 668 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7 pF —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Paket PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes —
RoHS Durumu EU RoHS Compliant with Exemption Compliant
Configuration Single Quad Drain Triple Source —
Channel Mode Enhancement —
Part Status Active —
Technology — N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
MSL Seviyesi — MSL1 (260°C peak reflow)
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Extended Qualification

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin