IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S7L290TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7N024ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S7L290TATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 27 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 28.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 45 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Compliance Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
ESD Protection HBM Class 1C (per Infineon datasheet) —
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Technology — OptiMOS 7 trench
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (typical automotive)
Güç Tüketimi (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin