IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUCN08S7N024TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S7L290TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7N024TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S7L290TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 27 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 28.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 45 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
ESD Protection HBM Class 1C (per Infineon datasheet) —
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 165 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 157 W
Rds(on) Max at Vgs=10V — 2.44 mOhm
Paket / Kas — PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²)
Cooling — Top-side cooled
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS Durumu — Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typ]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin