IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S7L290TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S5L280DATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S7L290TATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 7 OptiMOS 5
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 27 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 28.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 45 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
ESD Protection HBM Class 1C (per Infineon datasheet) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Technology — OptiMOS 5 Trench MOSFET
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Pin Sayısı — 8
RoHS Durumu — Compliant
Packing — Tape & Reel (T&R)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin