IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S7L290TATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ40N10S5N130ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S7L290TATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 27 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] 160 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 28.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 45 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
ESD Protection HBM Class 1C (per Infineon datasheet) —
Part Number — IAUZ40N10S5N130ATMA1
Technology — OptiMOS 5 (super-junction trench)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C (TJ)
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin