IAUT300N08S5N012ATMA2 vs BSC117N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUT300N08S5N012ATMA2 tarafından Infineon ve BSC117N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUT300N08S5N012ATMA2 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™-5 80 V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1200 A (per datasheet, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Paket | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |