IAUT300N08S5N012ATMA2 vs BSC117N08NS5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUT300N08S5N012ATMA2 bằng Infineon và BSC117N08NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUT300N08S5N012ATMA2 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™-5 80 V | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1200 A (per datasheet, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Hộp | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| Số chân | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |