IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUTN04S7N004ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N027GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUTN04S7N004ATMA1 IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUTN04S7N004ATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A —
On-Resistance RDS(on) max 0.38 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 255 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 Automotive Automotive
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity N-Channel —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
Paket / Kas — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin