IAUZ30N06S5L140ATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ30N06S5L140ATMA1 tarafından Infineon ve BSZ060NE2LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZ30N06S5L140ATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc) 33 W —
RDS(on) Max @ VGS=10 V 14 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.2 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 12.2 nC @ VGS=10 V —
Output Capacitance (Coss) 888 pF @ VDS=30 V —
Paket PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Technology Family OptiMOS 5 —
Automotive Grade AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage Max ±20 V —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ060NE2LSATMA1
Technology — OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — 1
Shipping Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin