IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs IAUZ30N10S5L240ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ40N06S5L050ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ30N10S5L240ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ30N10S5L240ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) OptiMOS 5 (trench)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 24 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Charge (Q_g) typ — 14 nC at V_GS=10V
Input Capacitance (C_iss) typ — 832 pF at V_DS=50V
Power Dissipation (P_D, Tc) — 45.5 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C (junction, automotive grade)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin