IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUZ40N08S5N100ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ40N10S5N130ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ40N08S5N100ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS-5 N-Channel MOSFET
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Paket PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +175 °C (TJ)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 40 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 68 W
On-Resistance RDS(on) max — 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg typ — 24.2 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 1591 pF @ VDS=40 V
Gate-Source Voltage VGS max — ±20 V
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu — Compliant
Channel Type — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin