IGLR70R270D2SXUMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGLR70R270D2SXUMA1 tarafından Infineon ve IGL65R080D2XUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IGLR70R270D2SXUMA1 | IGL65R080D2XUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | CoolGaN G5 |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | GaN-on-Si, 200 mm wafer |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | 18 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | 81 W |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| Paket | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount, wettable flank |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 80 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Typical Applications | — | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) |