IGLR70R270D2SXUMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLR70R270D2SXUMA1 بذریعہ Infineon اور IGL65R080D2XUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IGLR70R270D2SXUMA1 | IGL65R080D2XUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | CoolGaN G5 |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | GaN-on-Si, 200 mm wafer |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | 18 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | 81 W |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| پیکیج | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount, wettable flank |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 80 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Typical Applications | — | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) |