IPB014N06NATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB014N06NATMA1 tarafından Infineon ve IPC50N04S5L5R5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB014N06NATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 34 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
On-Resistance RDS(on) max 1.4 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (trench-gate) —
Avalanche Rating 100% avalanche tested 100 % Avalanche Tested
Qualification JEDEC qualified for target applications —
Primary Application Synchronous rectification, motor control —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin