IPB017N10N5LFATMA1 vs IPB025N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB017N10N5LFATMA1 tarafından Infineon ve IPB025N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB017N10N5LFATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 Linear FET —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 180 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C 313 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V 1.7 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Paket / Kas PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Avalanche Rated Yes —
Linear-Mode (SOA) Optimized Yes (OptiMOS Linear FET) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A — 2.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 2.58 nF
Gate Charge (Qg) Typical — [DATA_NEEDED: Qg value]
Paket — PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin