IPB081N06L3GATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB081N06L3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB020N08N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB081N06L3GATMA1 IPB020N08N5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] 480 A
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 8.1 mOhm typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Pin Configuration Gate / Drain / Source (D2PAK standard) —
Technology OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Maximum RDS(on) at VGS=10V — 2.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W]
Avalanche Energy Rated (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS value]
Configuration — Single N-channel, 3-pin (2+Tab)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin