IPB110P06LMATMA1 vs IPB073N15N5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB110P06LMATMA1 tarafından Infineon ve IPB073N15N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB110P06LMATMA1 | IPB073N15N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS 5 (superjunction trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | 11 mOhm @ ID=100A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | 2 V @ ID=5.55 mA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (TJ) | -55°C to +175°C (junction) |
| Paket / Kas | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (SMD) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 | — |
| Gate Drive Level | Logic-level compatible | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 114 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissition (PD) at Tc=25°C | — | 214 W |
| Paket | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount) |
| Packaging | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |