IPB35N10S3L26ATMA2 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB35N10S3L26ATMA2 tarafından Infineon ve IPB35N10S3L26ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Power-Transistor OptiMOS-T
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 35 A —
Pulsed Dræn Akımı 180 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
RDS(on) (typical) 26.3 mOhm —
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Pin Sayısı 3 —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page classification) —
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin