IPB35N10S3L26ATMA2 vs IPB35N10S3L26ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB35N10S3L26ATMA2 מאת Infineon ו IPB35N10S3L26ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB35N10S3L26ATMA2 | IPB35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS Power-Transistor | OptiMOS-T |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 35 A | — |
| זרם ניקוז פועם | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| RDS(on) (typical) | 26.3 mOhm | — |
| מארז | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מספר פינים | 3 | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page classification) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 35 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 71 W |
| Package Type | — | PG-TO263-3 (D2PAK-2) |
| מספר פינים | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| RDS(on) (typical per Infineon product page) | — | 26.3 mΩ |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | — | 80 nC |
| Maximum Drain-Source Resistance Rds | — | 1.7 mΩ (per RS Components listing) |
| Minimum Operating Temperature | — | -55 C |
| Maximum Power Dissipation Pd | — | 81 W (per RS Components listing) |
| AEC-Q101 Qualification | — | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] |