IPC90N04S5L3R3ATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPC90N04S5L3R3ATMA1 tarafından Infineon ve BSC027N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPC90N04S5L3R3ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.3 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.7 V to 2.7 V (logic level) —
Total Power Dissipation (TC=25°C) 62 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temp range] —
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Moisture Sensitivity MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Qualification AEC-Q101 automotive qualified Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)
Avalanche Tested 100% (production-level) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5 (100V)
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin