IPD034N06N3GATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD034N06N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD031N06L3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD034N06N3GATMA1 | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 167 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4 V at 93 uA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Configuration | 3-Pin (2 + Tab) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55°C to +175°C |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free green finish) | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (Unlimited) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 167 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.2 V |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |