IPD068P03L3GATMA1 vs IPC90N04S5L3R3ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD068P03L3GATMA1 tarafından Infineon ve IPC90N04S5L3R3ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD068P03L3GATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 40V
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) -30 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C -70 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at T_C 100 W —
R_DS(on) max at V_GS=-10V 0.005 ohm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (V_GS(th)) -1.0 V to -2.2 V —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.3 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.7 V to 2.7 V (logic level)
Total Power Dissipation (TC=25°C) — 62 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temp range]
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Peak Reflow Temperature — 260°C
Qualification — AEC-Q101 automotive qualified
Avalanche Tested — 100% (production-level)
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin