IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N08S2L21ATMA1 tarafından Infineon ve IPD30N10S3L34ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V 26 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (L series) —
Gate Charge (Qg) typ 56 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Maximum Junction Temperature +175C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Drain tab + Gate + Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T2
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin