IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N08S2L21ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD30N10S3L34ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V 26 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (L series) —
Gate Charge (Qg) typ 56 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
Maximum Junction Temperature +175C —
پیکیج PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Drain tab + Gate + Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T2
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +175°C
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں