IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N10S3L34ATMA1 tarafından Infineon ve IPD30N10S3L34ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD30N10S3L34ATMA1 IPD30N10S3L34ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C -55 C to +175 C
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
MSL Seviyesi 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 180 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 57 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 31 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max — 2.4 V
Total Gate Charge (Qg) max — 31 nC
Package / Supplier Device Package — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Pin / Tab Count — 3 (2 + Tab)
Technology — OptiMOS-T (trench)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin