IPD33CN10NGATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD33CN10NGATMA1 tarafından Infineon ve ISC080N10NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD33CN10NGATMA1 | ISC080N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 58 W | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (TJ) | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 3.3 V at 36 µA |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ 6 100V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 75 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | — | 8.05 mΩ |
| Klorürsüz | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) |