IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD35N10S3L26ATMA2 tarafından Infineon ve IPD90P04P4L04ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD90P04P4L04ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55 C to +175 C |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Pin Sayısı | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Part Number | — | IPD90P04P4L04ATMA2 |
| Family | — | OptiMOS-P2 |
| Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -40 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | -90 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 125 W |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |