IPD50P04P4L11ATMA2 vs IRFR5410TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50P04P4L11ATMA2 tarafından Infineon ve IRFR5410TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD50P04P4L11ATMA2 | IRFR5410TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | P-Channel MOSFET, enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage VDS | -40 V | — |
| Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) | -50 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) | 10.6 mΩ typical | — |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.0 V to -2.5 V typical | — |
| Typical Gate Charge Qg | 45 nC | — |
| Power Dissipation PD (TC = 25 °C) | 58 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Pin Sayısı | 3 (Drain / Tab / Source / Gate) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | — | -13 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | — | 205 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 70 nC |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | — | 66 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Technology | — | HEXFET (advanced process, Gen 5) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| RDS(on) Test Conditions | — | VGS = -10 V, ID = -7.0 A |