IPD50P04P4L11ATMA2 vs IRFR5410TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50P04P4L11ATMA2 بذریعہ Infineon اور IRFR5410TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD50P04P4L11ATMA2 IRFR5410TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel MOSFET, enhancement mode —
Drain-Source Voltage VDS -40 V —
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) -50 A —
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) 10.6 mΩ typical —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -2.5 V typical —
Typical Gate Charge Qg 45 nC —
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) 58 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
پن کی تعداد 3 (Drain / Tab / Source / Gate) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C (TJ)
Technology — HEXFET (advanced process, Gen 5)
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں