IPD50P04P4L11ATMA2 vs IRFR5410TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD50P04P4L11ATMA2 bằng Infineon và IRFR5410TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IRFR5410TRPBF - -100V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon
IRFR5410TRPBF ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD50P04P4L11ATMA2 | IRFR5410TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | P-Channel MOSFET, enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage VDS | -40 V | — |
| Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) | -50 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) | 10.6 mΩ typical | — |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.0 V to -2.5 V typical | — |
| Typical Gate Charge Qg | 45 nC | — |
| Power Dissipation PD (TC = 25 °C) | 58 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Số chân | 3 (Drain / Tab / Source / Gate) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | — | -13 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | — | 205 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 70 nC |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | — | 66 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Technology | — | HEXFET (advanced process, Gen 5) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| RDS(on) Test Conditions | — | VGS = -10 V, ID = -7.0 A |