IPD80R2K4P7ATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R2K4P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R600P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 2.5A N-Channel MOSFET | Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD80R2K4P7ATMA1 | IPD80R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Part Number | IPD80R2K4P7ATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), Superjunction | CoolMOS P7 super-junction |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 2.5 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 22 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 2000 mOhm | — |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pins | 3 (2 + Tab) | — |
| Configuration | Single | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| Part Status | Active | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 8 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 600 mΩ at VGS=10V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 60 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V (typical) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | — | 20 mJ |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | — | 0.17 mJ |
| Polarity | — | N-Channel |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |