IPD80R600P7ATMA1 vs IPB60R190C6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R600P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPB60R190C6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD80R600P7ATMA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | 3.5 V (typ) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |